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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
21
读取速度,GB/s
15.4
17.9
写入速度,GB/s
10.7
13.8
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2739
3167
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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