RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Compara
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2947
3425
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link