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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2843
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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