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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

总分
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
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Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 16
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
    左右 1.51% 更高的带宽
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 33
    左右 -38% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2910 left arrow 2843

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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内存RAM
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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