RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
40
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3020
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link