RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3020
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link