RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2196
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link