RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3178
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link