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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
18.4
写入速度,GB/s
12.0
13.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3178
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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