RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
36
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2570
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link