RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2570
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link