RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
64
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
64
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2181
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link