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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
4032
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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