RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2891
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Mushkin 996902 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link