RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
40
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2965
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link