RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
40
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2965
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link