RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
40
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2965
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link