RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3158
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link