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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2088
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
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