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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
63
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2714
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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