Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Puntuación global
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.6 left arrow 17.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
    En 1.2% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 33
    En -50% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.0 left arrow 12.0
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    33 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    17.6 left arrow 17.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 13.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2910 left arrow 3007
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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