RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
17.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
22
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3007
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link