RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
39
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1842
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link