RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
39
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
8.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
1842
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link