RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2271
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link