RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
76
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
76
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1260
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link