Comparación de la memoria RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Puntuación global

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.6 16.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 23400

En 1.09% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 33

En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.2 12.0

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2910 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns