RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Compara
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
13.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
18.5
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.8
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3341
3860
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link