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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
比较
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
总分
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
18.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.0
13.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
18.5
18.4
写入速度,GB/s
13.8
17.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3341
3860
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AP38G1338U2K 4GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
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