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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Compara
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Puntuación global
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2298
2622
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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