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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
90
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
90
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
1546
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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