RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
90
Autour de 69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
90
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
1546
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link