RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
3115
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link