RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
96
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
96
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
992
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link