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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
66
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
2,978.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
60
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2129
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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