RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
2191
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link