RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En -196% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2194
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link