RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
77
Autour de -196% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2194
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link