Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
    En 1.51% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 34
    En -26% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20 left arrow 16.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    17.3 left arrow 12.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 20.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.3 left arrow 17.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2584 left arrow 3815
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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