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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
12.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
27
读取速度,GB/s
16.7
20.0
写入速度,GB/s
12.3
17.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2584
3815
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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