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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
3306
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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