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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Compara
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
2408
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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