RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Compara
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
83
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
83
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
1663
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link