RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Compara
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Puntuación global
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2690
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link