RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2690
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link