RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2483
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link