Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 41

Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

11.8 11.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1920 1348

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns