RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
41
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1920
1348
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link