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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 41
    周辺 32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 11.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1920 left arrow 1348

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