RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 41

Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11.8 11.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 10600

Rund um 1.21% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.2 7.9

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1920 1348

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns