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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
41
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1920
1348
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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