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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
23
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3663
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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